
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V
Frecuencia de Transición ft: 300MHz
Disipación de Potencia Pd: 350mW
Corriente de Colector DC: 200mA
Ganancia de Corriente DC hFE: 300hFE
Encapsulado del Transistor: SOT-23
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
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