FQD1N60CTM MOSFET, N CH, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-252-3

El FQD1N60CTM es un MOSFET de potencia de modo de mejora QFET® de canal N producido con la tecnología de DMOS y banda plana patentada de Fairchild Semiconductor. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia del estado ON y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos.

     Carga de puerta baja (4.8nC)
     Baja Crss (3.5pF)
     100% avalancha probado

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Iluminación

Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 1A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 9.3ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 2V
Disipación de Potencia Pd: 28W
Encapsulado del Transistor: TO-252
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL MSL 1 - Ilimitado