IRFD120PBF MOSFET, N, DIL TRANSISTOR

Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 1.3A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.27ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 1.3W
Encapsulado del Transistor: DIP
Número de Pines: 4Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C