Polaridad de Transistor:  Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id:  -13A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.205ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -4V
Disipación de Potencia Pd: 66W
Encapsulado del Transistor: TO-252AA
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Rango de Producto: HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado