

20n60A4D Transistor Único IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pines
El HGTG20N60A4 es un IGBT de canal N de 600V con diodo híper rápido anti-paralelo. La serie SMPS engloba la familia de IGBT de conmutación de alta tensión con puerta MOS. IGBT combina las mejores funciones de los transistores bipolares y MOSFET. Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida en estado conductor de un transistor bipolar. Ofrece pérdida por conducción y pérdida por conmutación inferiores para diseñar sistemas fiables y de alta eficiencia. Fairchild una gama exhaustiva de dispositivos IGBT mediante tecnologías de proceso diversas de 300V a más de 1200V. La optimización del proceso de fabricación resulta en mejor control y repetibilidad de la estructura superior, lo que proporciona especificaciones más precisas y mejor rendimiento EMI. Este producto es de uso general y adecuado para diferentes aplicaciones.
Tiempo de caída de 55ns a TJ = 125°C
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20n60A4D Transistor Único IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pines