IRF1010EPBF TRANSISTOR NMOS, 60V, 84A 200W -0.12R

El IRF1010EPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 60 V con tecnología de proceso avanzada. El MOSFET de potencia HEXFET® avanzado utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Resistencia ultrabaja Clasificación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente clasificado para avalanchas Calidad líder en la industria Tecnología MOSFET plana Puerta de ±20 V a voltaje de fuente Factor de reducción lineal de 1,4 W/°C Corriente de avalancha de 50 A (IAR) Resistencia térmica de 0,75°C/W, unión a caja Resistencia térmica de 62°C/W, unión al ambiente.

Tipo de Canal: Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Corriente de Drenaje Continua Id: 81A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.012ohm
Encapsulado del Transistor: TO-220AB
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Disipación de Potencia: 170W
Número de Pines: 3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C