BSZ160N10NS3GATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 40A, PG-TDSON

Tipo de Canal: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 40A
Encapsulado del Transistor: PG-TSDSON
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Disipación de Potencia: 63W
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.014ohm
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 2.8V
Número de Pines: 8Pins
Gama de Producto: OptiMOS 3
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado