IRF100B201 MOSFET, CANAL N, 100V, 192A, TO-220AB

MOSFET de potencia adecuado para usar en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de alimentación OR-ing y redundantes, DC/ Inversores AC, convertidores DC/DC y AC/DC. Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA Capacidad mejorada de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt

Tipo de Canal: Canal N
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 192A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0035ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor:  0.0035ohm
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Disipación de Potencia Pd: 441W
Encapsulado del Transistor: TO-220AB
Disipación de Potencia: 441W
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C  
Gama de Producto: StrongIRFET, HEXFET