IRF3710ZSTRLPBF MOSFET, CANAL N, 59A, 100V, TO-263-3

Tipo de Canal: Canal N
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 59A
Tensión Drenador - Fuente (Vds): 100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.014ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.014ohm
Encapsulado del Transistor: TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Disipación de Potencia Pd: 160W
Disipación de Potencia: 160W
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado