RFD14N05LSM MOSFET N, LOGIC, D-PAK

El RFD14N05LSM es un MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N producido mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, lo que da como resultado un rendimiento excepcional. Fueron diseñados para su uso en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación y controladores de relés. Este rendimiento se logra a través de un diseño especial de óxido de compuerta que proporciona una conductancia nominal completa en la polarización de la compuerta en el rango de 3 V a 5 V, lo que facilita un verdadero control de encendido y apagado directamente desde los circuitos integrados de nivel lógico (5 V).

Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 14A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on):0.1ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 5V
Encapsulado del Transistor: TO-252 (DPAK)
Tensión Umbral Vgs: 2V
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd: 48W
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.:175°C