FDV304P MOSFET, P, -25V, -0.46, SOT-23

El FDV303N de Fairchild es un FET digital de modo mejorado de nivel lógico con canal P en un encapsulado SOT-23 para montaje superficial. Este dispositivo presenta alta densidad de celdas y tecnología DMOS especializada para minimizar la resistencia en estado de conducción y mantener las condiciones de baja tensión de control de puerta. Ofrece una excelente resistencia en estado conductor incluso con tensiones de control de puerta tan bajas como 2,5V. FDV303N está diseñado para aplicaciones de alimentación por batería como ordenadores portátiles, teléfonos móviles y ordenadores.

    Requisitos de control de puerta de muy bajo nivel, lo que permite operación directa en circuitos de 3V
    Tensión de drenador a fuente (Vds) de -25V
    Tensión de puerta a fuente de -8V
    Corriente de drenaje continua (Id) de -460mA
    Disipación de potencia (pd) de 350mW
    Baja resistencia en estado de conducción de 1.22ohm a Vgs -2,7V
    Rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 150°C

Polaridad de Transistor: Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Corriente de Drenaje Continua Id: 460mA
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 1.22ohm
Encapsulado del Transistor: SOT-23
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 2.7V
Tensión Umbral Vgs: 860mV
Disipación de Potencia Pd: 350mW
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado