IRF1310NSTRLPBF MOSFET, CANAL N, 100V, 42A, TO-263AB

Polaridad de Transistor: Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Corriente de Drenaje Continua Id: 42A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.036ohm
Encapsulado del Transistor: TO-263AB
Montaje de Transistor: Surface Mount
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 160W
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C
Rango de Producto: HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):  MSL 1 - Ilimitado