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IRFB4115PBF MOSFET, N-CH 150V 104A TO220
IRFB4115 Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 150 V, 0.0093 ohm, 20 V, 5 V
El IRFB4115PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 150 V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia a alta velocidad, circuitos de conmutación dura y alta frecuencia.
Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dv / dt
Capacitancia y avalancha totalmente caracterizadas SOA.
Diodo corporal mejorado dV / dt y dI / dt
Libre de halógeno
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 62A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0093ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 20V
Tensión Umbral Vgs: 5V
Disipación de Potencia Pd: 380W
Encapsulado del Transistor: TO-220AB
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C
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