DIODO STHG16N50C E3 MOSFET N 500V 16A TO2
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DIODO STHG16N50C E3 MOSFET N 500V 16A TO2

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  • MOSFET,N CH,DIODE,500V,16A,TO-247AC
  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 16A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 500V
  • Resistencia de Activación Rds(on): 0.317ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 3V
  • Disipación de Potencia Pd: 250W
  • Diseño de Transistor: TO-247AC
  • Núm. de Contactos: 3
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
  • Intensidad Id Max: 16A
  • Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
  • Tensión Vgs Máx.: 30V
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