El DS1220AB-150 + es un SRAM no volátil de 16K en un paquete EDIP de 24 pines. Esta SRAM no volátil completamente estática de 16.384bit está organizada en 2048 palabras por 8 bits. Tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente a VCC para detectar una condición fuera de tolerancia. Durante tal condición ocurre, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura está habilitada incondicionalmente para evitar daños en los datos. La fuente de energía de litio está eléctricamente desconectada para retener la frescura hasta que se aplique energía por primera vez. La NVRAM se puede usar en lugar de las SRAM 2K x 8 existentes que se ajustan directamente al popular paquete DIP de 24 pines de byte. El dispositivo también coincide con el pin-out de 2716 EPROM y 2816 EEPROM, lo que permite la sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento. No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requiere un circuito de soporte adicional para la interfaz del microprocesador.

    Rango de voltaje de suministro de 4.75V a 5.25V
    Rango de temperatura de funcionamiento de 0 ° C a 70 ° C
    Retención de datos mínima de 10 años en ausencia de energía externa
    Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de potencia
    Tecnología CMOS de baja potencia